（文/赖家琪 编辑/吕栋）
国内存储芯片领域的领军企业长鑫科技，正谋划将产能规模再推上一个新台阶。
据英国路透社8月3日援引两位知情人士的消息报道，长鑫正在评估于北京兴建第二座存储芯片工厂的可行性，目前双方已就融资事宜展开谈判，接触对象为当地一家由政府支持的科技制造产业平台。
新厂选址意向落在北京经济技术开发区，也就是大家熟知的亦庄区域。这里距离长鑫目前运营的动态随机存取存储器（DRAM）晶圆厂仅约20公里。据悉，长鑫已向开发区管理机构申请至少6000万元人民币的资金援助，同时有其他国有科技企业也流露出参与融资的意向。
不过，消息人士指出，相关磋商才刚刚起步，最终融资金额及具体执行方案仍存在变数。至于这笔钱是经由开发区管理机构直接拨付，还是通过其旗下的投资平台注入，目前尚无定论。
针对上述情况，观察者网尝试联系长鑫方面求证，截至发稿未获回应。
资本市场反应相对平淡。8月4日，长鑫科技股价呈现高开低走态势，午间收盘时跌幅为0.53%，公司市值定格在3.66万亿元。
路透社分析认为，北京新厂计划是长鑫整体扩张战略的一环。眼下人工智能基础设施投资火热，全球芯片供应趋紧，长鑫亟需提升产能以应对需求。就在上月末，该公司完成首次公开发行（IPO），募集资金总额高达579.19亿元，一举刷新科创板IPO募资纪录。
此前有媒体报道显示，长鑫不仅在上海和合肥推进新厂建设，还在与其他地方政府洽谈新增生产基地。若这些项目悉数落地，公司总产能有望实现翻倍，突破每月60万片晶圆的规模。
图片：长鑫存储总部位于北京亦庄，图为视觉中国资料图
据知情人士透露，长鑫目前在合肥拥有两座12英寸DRAM晶圆厂，在北京运营一座同规格晶圆厂，单厂月产能约为10万片晶圆。规划中的北京新厂也将沿用12英寸生产线，核心产品依然是DRAM。
作为电脑、智能手机等电子设备的核心组件，DRAM也是AI时代数据中心建设不可或缺的基础元件。
近两年，随着AI大模型技术的迅猛发展，全球科技巨头纷纷加大数据中心投入，对高性能存储芯片的需求呈爆发式增长。三星电子、SK海力士和美光科技等全球存储寡头，正将现有产能向利润率更高的高带宽存储器（HBM）和服务器DRAM倾斜。这一策略导致传统DRAM供应收紧，存储市场重新步入涨价周期，客观上为长鑫提供了发展的窗口期。
全球行业分析机构Counterpoint Research的数据表明，全球DRAM市场长期被三星、SK海力士和美光三家垄断，今年第一季度这三家公司合计占据了全球近90%的市场份额。
紧随其后，长鑫已跻身中国第一、全球第四的DRAM厂商行列。市场研究机构Omdia数据显示，长鑫在2025年第四季度的全球市场份额已达7.67%。野村证券近期报告指出，长鑫在全球DRAM市场的占比约为10%，并预测到2028年底这一比例将攀升至18%。
8月1日，一位接近长鑫科技的知情人士向观察者网透露，长鑫的LPDDR6芯片研发验证工作已进入尾声，距离正式量产更近了一步。这意味着在全球LPDDR6首发量产的竞争中，中国企业几乎能与韩国巨头平起平坐。
不少看好长鑫的分析人士认为，在中国加速科技自主化的宏观背景下，该公司有望在DRAM市场进一步抢占份额。
中国市场存在明显的供需缺口，这为长鑫及其他本土企业提供了填补空间的机会。基于对未来市场份额增长的预期，野村国际控股分析师唐尼·滕给予长鑫116元人民币的目标价，这是当前市场分析师给出的最高估值。长鑫上市首周股价暴涨523%，8月3日收盘价报54.99元人民币/股。
新加坡老虎基金管理公司首席执行官杰里米·陈表示，IPO募集的资金赋予了长鑫“更强的实力来扩大供应”。
“正如我们在众多技术领域所见证的那样，中国完全有能力迅速缩小差距。”他说。